NTJD5121NT1G MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
♠ Opis produktu
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| producent: | onsemi |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Szczegóły |
| Technologia: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SC-88-6 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał N |
| Numery kanałów: | 2 kanały |
| Vds - Tensión Disruptiva entre drenaje y fuente: | 60 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 295 mA |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 1,6 Ohma |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 1 V |
| Qg - Carga de puerta: | 900 szt |
| Minimalna temperatura trabajo: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura trabajo: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 250 mW |
| Kanał Modo: | Wzmocnienie |
| Empaquetado: | Rolka |
| Empaquetado: | Wytnij taśmę |
| Empaquetado: | MyszReel |
| Marka: | onsemi |
| Konfiguracja: | Podwójny |
| Tiempo de caída: | 32 ns |
| Altura: | 0,9 mm |
| Długość geograficzna: | 2 mm |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 34 ns |
| Seria: | NTJD5121N |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Rodzaj tranzystora: | 2 kanał N |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 34 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 22 ns |
| ancho: | 1,25 mm |
| Peso de la unidad: | 0,000212 uncji |
• Niski RDS (wł.)
• Niski próg bramki
• Niska pojemność wejściowa
• Bramka chroniona przed wyładowaniami elektrostatycznymi
• Prefiks NVJD dla zastosowań motoryzacyjnych i innych, wymagających unikalnych wymagań dotyczących zmiany miejsca i sterowania;Kwalifikacja AEC-Q101 i obsługa PPAP
• To jest urządzenie wolne od Pb
• Przełącznik niskiego obciążenia bocznego
• Przetwornice DC-DC (obwody Buck i Boost)
