SQM50034EL_GE3 MOSFET N-KANAŁOWY 60-V (DS) 175C MOSFET
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | Wiszaj |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Detale |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | TO-263-3 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał N |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 60 V |
| Id — ciągły prąd drenu: | 100 A |
| Rds On – rezystancja drenu-źródła: | 3,2 megaomów |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 2 V |
| Qg — Ładunek bramki: | 60 st.C |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 175 C |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 150 W |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Nazwa handlowa: | TrenchFET |
| Marka: | Vishay/Siliconix |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Czas upadku: | 7 ns |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Czas narastania: | 7 ns |
| Seria: | SQ |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 800 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Typowy czas opóźnienia wyłączenia: | 33 ns |
| Typowy czas opóźnienia włączenia: | 15 ns |
| Masa jednostkowa: | 0,139332 uncji |
• MOSFET mocy TrenchFET®
• Opakowanie o niskim oporze termicznym
• Testowane w 100% Rg i UIS
• Certyfikat AEC-Q101
