Sterowniki bramek VNS1NV04DPTR-E OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Kategoria produktu: | Sterowniki bramek |
| Produkt: | Sterowniki bramek MOSFET |
| Typ: | Niska strona |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | SOIC-8 |
| Liczba kierowców: | 2 Kierowca |
| Liczba wyjść: | 2 Wyjście |
| Prąd wyjściowy: | 1,7 A |
| Napięcie zasilania — maks.: | 24 V |
| Czas narastania: | 500 ns |
| Czas upadku: | 600 ns |
| Minimalna temperatura pracy: | - 40 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 150 C |
| Seria: | VNS1NV04DP-E |
| Kwalifikacja: | AEC-Q100 |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | STMicroelectronics |
| Wrażliwy na wilgoć: | Tak |
| Prąd zasilania operacyjnego: | 150 uA |
| Rodzaj produktu: | Sterowniki bramek |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 2500 |
| Podkategoria: | PMIC — układy scalone do zarządzania energią |
| Technologia: | Si |
| Masa jednostkowa: | 0,005291 uncji |
♠ MOSFET mocy OMNIFET II z pełną automatyczną ochroną
VNS1NV04DP-E to urządzenie składające się z dwóch monolitycznych układów OMNIFET II umieszczonych w standardowej obudowie SO-8.OMNIFET II są zaprojektowane w technologii STMicroelectronics VIPower™ M0-3: są przeznaczone do wymiany standardowych tranzystorów mocy MOSFET od zastosowań DC do 50 kHz.Wbudowany wyłącznik termiczny, liniowe ograniczenie prądu i zacisk przepięciowy chronią chip w trudnych warunkach.
Sprzężenie zwrotne błędu można wykryć, monitorując napięcie na styku wejściowym.
• Liniowe ograniczenie prądu
• Wyłączenie termiczne
• Zabezpieczenie przed zwarciem
• Zintegrowany zacisk
• Niski prąd pobierany z pinu wejściowego
• Diagnostyczne sprzężenie zwrotne przez pin wejściowy
• Ochrona ESD
• Bezpośredni dostęp do bramki mosfetu mocy (sterowanie analogowe)
• Kompatybilny ze standardowym mosfetem mocy
• Zgodnie z dyrektywą europejską 2002/95/WE
