STM32H723ZET6 Mikrokontrolery ARM — wysokowydajne MCU i DSP DP-FPU, ARM Cortex-M7 MCU 512 kB Flash, 564 kB RA
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Kategoria produktu: | Mikrokontrolery ARM - MCU |
| RoHS: | Detale |
| Seria: | STM32 |
| Opakowanie: | Taca |
| Marka: | STMicroelectronics |
| Wrażliwy na wilgoć: | Tak |
| Rodzaj produktu: | Mikrokontrolery ARM - MCU |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 360 |
| Podkategoria: | Mikrokontrolery - MCU |
| Nazwa handlowa: | STM32 |
♠ Arm® Cortex®-M7 32-bitowy MCU 550 MHz, do 1 MB Flash, 564 KB RAM, Ethernet, USB, 3x FD-CAN, grafika, 2x 16-bitowe ADC
Urządzenia STM32H723xE/G oparte są na wysokowydajnym 32-bitowym rdzeniu RISC Arm® Cortex®-M7 pracującym z częstotliwością do 550 MHz.Rdzeń Cortex®-M7 zawiera jednostkę zmiennoprzecinkową (FPU), która obsługuje instrukcje i typy danych Arm® o podwójnej precyzji (zgodne z IEEE 754) i pojedynczej precyzji.Rdzeń Cortex-M7 zawiera 32 KB pamięci podręcznej instrukcji i 32 KB pamięci podręcznej danych.Urządzenia STM32H723xE/G obsługują pełny zestaw instrukcji DSP i moduł ochrony pamięci (MPU) w celu zwiększenia bezpieczeństwa aplikacji.
Urządzenia STM32H723xE/G zawierają wbudowane pamięci o dużej szybkości z maksymalnie 1 MB pamięci Flash, do 564 KB pamięci RAM (w tym 192 KB, które mogą być współdzielone między ITCM i AXI, plus 64 KB wyłącznie dla ITCM, plus 128 KB wyłącznie dla AXI, 128 KB DTCM, 48 KB AHB i 4 KB zapasowej pamięci RAM), a także szeroką gamę ulepszonych wejść/wyjść i urządzeń peryferyjnych podłączonych do magistrali APB, magistrali AHB, 2x32-bitowej matrycy magistrali multi-AHB i wielowarstwowego połączenia AXI wspieranie dostępu do pamięci wewnętrznej i zewnętrznej.Aby poprawić niezawodność aplikacji, wszystkie pamięci obsługują korekcję kodów błędów (jedna korekcja błędu, dwie detekcje błędów).
Rdzeń
• 32-bitowy procesor Arm® Cortex®-M7 z DP-FPU, pamięć podręczna L1: 32-Kbajtowa pamięć podręczna danych i 32-Kbajtowa pamięć podręczna instrukcji umożliwiająca wykonanie stanu 0-wait z wbudowanej pamięci Flash i pamięci zewnętrznych, częstotliwość do 550 MHz, MPU, 1177 DMIPS/2,14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) i instrukcje DSP
Wspomnienia
• Do 1 MB wbudowanej pamięci Flash z ECC
• SRAM: łącznie 564 KB, wszystkie z ECC, w tym 128 KB danych TCM RAM dla krytycznych danych czasu rzeczywistego + 432 KB systemowej pamięci RAM (do 256 KB można mapować na instrukcje TCM RAM dla krytycznych instrukcji czasu rzeczywistego) + 4 KB zapasowa pamięć SRAM (dostępna w trybach najniższego poboru mocy)
• Elastyczny kontroler pamięci zewnętrznej z maksymalnie 16-bitową magistralą danych: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, pamięci NOR/NAND
• 2 x interfejs Octo-SPI z XiP
• 2 x interfejs SD/SDIO/MMC
• Program rozruchowy
Grafika
• Sprzętowy akcelerator graficzny Chrom-ART Accelerator umożliwiający ulepszony graficzny interfejs użytkownika w celu zmniejszenia obciążenia procesora
• Kontroler LCD-TFT obsługujący rozdzielczość do XGA
Zarządzanie zegarem, resetowaniem i zasilaniem
• Zasilanie aplikacji i wejścia/wyjścia od 1,62 V do 3,6 V
• POR, PDR, PVD i BOR
• Dedykowane zasilanie USB
• Wbudowany regulator LDO
• Oscylatory wewnętrzne: 64 MHz HSI, 48 MHz HSI48, 4 MHz CSI, 32 kHz LSI
• Oscylatory zewnętrzne: 4-50 MHz HSE, 32,768 kHz LSE
Niska moc
• Tryby uśpienia, zatrzymania i gotowości
• Zasilanie VBAT dla RTC, 32×32-bitowe rejestry zapasowe
Analog
• 2×16-bitowy ADC, do 3,6 MSPS w trybie 16-bitowym: do 18 kanałów i 7,2 MSPS w trybie z podwójnym przeplotem
• 1 x 12-bitowy ADC, do 5 MSPS w 12-bitowym, do 12 kanałów
• 2 x komparatory
• 2 x wzmacniacz operacyjny GBW = 8 MHz
• 2× 12-bitowe przetworniki C/A
