SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30 V 5,7 A 0,042 Ohm
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | Wiszaj |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Detale |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie/sprawa: | SOIC-8 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał P |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 30 V |
| Id — ciągły prąd drenu: | 5,7 A |
| Rds On – rezystancja drenu-źródła: | 42 megaomów |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | - 10 V, + 10 V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 1 V |
| Qg — Ładunek bramki: | 24 nC |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 150 C |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 2,5 W |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Nazwa handlowa: | TrenchFET |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | Półprzewodniki firmy Vishay |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Czas upadku: | 30 sekund |
| Transkonduktancja do przodu - min.: | 13 s |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Czas narastania: | 42 ns |
| Seria: | SI9 |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 2500 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Typ tranzystora: | 1 kanał P |
| Typowy czas opóźnienia wyłączenia: | 30 sekund |
| Typowy czas opóźnienia włączenia: | 14 ns |
| Część # Aliasy: | SI9435BDY-E3 |
| Masa jednostkowa: | 750 mg |
• Bezhalogenowy Zgodnie z definicją IEC 61249-2-21
• MOSFET mocy TrenchFET®
• Zgodność z dyrektywą RoHS 2002/95/WE
