NVTFS5116PLTWG MOSFET Pojedynczy kanał P 60V,14A,52mohm
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | onsemi |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | WDFN-8 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał P |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 60 V |
| Id — ciągły prąd drenu: | 14A |
| Rds On – rezystancja drenu-źródła: | 52 miliomów |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 3 V |
| Qg — Ładunek bramki: | 25 stC |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 175 C |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 21 W |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Kwalifikacja: | AEC-Q101 |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | onsemi |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Transkonduktancja do przodu - min.: | 11 S |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Seria: | NVTFS5116PL |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 5000 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Typ tranzystora: | 1 kanał P |
| Masa jednostkowa: | 0,001043 uncji |
• Mała powierzchnia zabudowy (3,3 x 3,3 mm) dla kompaktowej konstrukcji
• Niski RDS(on) w celu zminimalizowania strat przewodzenia
• Niska pojemność minimalizująca straty sterownika
• NVTFS5116PLWF — Zwilżalny produkt do boków
• Kwalifikacja AEC-Q101 i obsługa PPAP
• Te urządzenia nie zawierają Pb i są zgodne z dyrektywą RoHS
