MMBT3904TT1G Tranzystory bipolarne – BJT 200mA 40V NPN
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | onsemi |
| Kategoria produktu: | Tranzystory bipolarne - BJT |
| RoHS: | Detale |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | SC-75-3 |
| Polaryzacja tranzystora: | NPN |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Napięcie kolektor-emiter VCEO Max: | 40 V |
| Kolektor-baza napięcia VCBO: | 60 V |
| Napięcie bazowe emitera VEBO: | 6 V |
| Napięcie nasycenia kolektor-emiter: | 300 mV |
| Maksymalny prąd kolektora DC: | 200 mA |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 225 mW |
| Produkt szerokości pasma zysku fT: | 300MHz |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 150 C |
| Seria: | MMBT3904T |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | onsemi |
| Ciągły prąd kolektora: | 0,2 A |
| Kolektor DC/wzmocnienie podstawowe hfe Min: | 40 |
| Wysokość: | 0,75 mm |
| Długość: | 1,6 mm |
| Rodzaj produktu: | BJT – Tranzystory bipolarne |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 3000 |
| Podkategoria: | Tranzystory |
| Technologia: | Si |
| Szerokość: | 0,8 mm |
| Masa jednostkowa: | 0,000089 uncji |
• Prefiks S dla zastosowań motoryzacyjnych i innych, wymagających unikatowych wymagań dotyczących zmiany lokalizacji i sterowania;Kwalifikacja AEC-Q101 i obsługa PPAP
• Te urządzenia są wolne od Pb, halogenów/BFR i są zgodne z dyrektywą RoHS*
