Szczegóły produktu
Tagi produktów
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | onsemi |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Detale |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | DPAK-3 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał N |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 600 V |
| Id — ciągły prąd drenu: | 1,7 A |
| Rds On – rezystancja drenu-źródła: | 1,9 Ohma |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 5 V |
| Qg — Ładunek bramki: | 8,3 nC |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 150 C |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 114 W |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Nazwa handlowa: | UniFET |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Czas upadku: | 12,8 ns |
| Transkonduktancja do przodu - min.: | 3,4 S |
| Wysokość: | 2,39 mm |
| Długość: | 6,73 mm |
| Produkt: | MOSFET |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Czas narastania: | 15,1 ns |
| Seria: | FDD4N60NZ |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 2500 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Typ tranzystora: | 1 kanał N |
| Typowy czas opóźnienia wyłączenia: | 30,2 ns |
| Typowy czas opóźnienia włączenia: | 12,7 ns |
| Szerokość: | 6,22 mm |
| Masa jednostkowa: | 0,011640 uncji |
Poprzedni: NCP431BVSNT1G Napięcie odniesienia ANA 2,5 V PROG SHUNT REF Następny: NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2.0A
