BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIKA
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | onsemi |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | SOT-23-3 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał N |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 100 V |
| Id — ciągły prąd drenu: | 170 mA |
| Rds On – rezystancja drenu-źródła: | 6 omów |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 800 mV |
| Qg — Ładunek bramki: | 2,5 nC |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 150 C |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 300 mW |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Czas upadku: | 9 ns |
| Transkonduktancja do przodu - min.: | 0,8 S |
| Wysokość: | 1,2 mm |
| Długość: | 2,9 mm |
| Produkt: | Mały sygnał MOSFET |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Czas narastania: | 9 ns |
| Seria: | BSS123 |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 3000 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Typ tranzystora: | 1 kanał N |
| Typ: | FET |
| Typowy czas opóźnienia wyłączenia: | 17 ns |
| Typowy czas opóźnienia włączenia: | 1,7 ns |
| Szerokość: | 1,3 mm |
| Część # Aliasy: | BSS123_NL |
| Masa jednostkowa: | 0,000282 uncji |
♠ N-kanałowy tranzystor polowy w trybie wzmocnienia poziomu logicznego
Te tranzystory polowe w trybie wzmocnienia kanału N są produkowane przy użyciu opatentowanej technologii DMOS firmy onsemi o wysokiej gęstości komórek.Produkty te zostały zaprojektowane tak, aby zminimalizować rezystancję w stanie włączenia, a jednocześnie zapewnić solidne, niezawodne i szybkie przełączanie.Produkty te są szczególnie odpowiednie do zastosowań niskonapięciowych i niskoprądowych, takich jak sterowanie małymi serwomotorami, sterowniki bramek mocy MOSFET i inne zastosowania przełączające.
• 0,17 A, 100 V
♦ RDS(on) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(on) = 10 @ VGS = 4,5 V
• Konstrukcja komórek o dużej gęstości zapewniająca ekstremalnie niski RDS(on)
• Wytrzymały i niezawodny
• Kompaktowy pakiet do montażu powierzchniowego zgodny ze standardem przemysłowym SOT-23
• To urządzenie jest wolne od Pb i halogenów
