NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | onsemi |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Bliższe dane |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / Sprawa: | SO-8FL-4 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał N |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds - napięcie przebicia dren-źródło: | 30 V |
| Id - ciągły prąd odprowadzany: | 52A |
| Rds On - Rezystancja dren-źródło: | 4,73 mOhmów |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | -20V, +20V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 2,2 V |
| Qg - Ładunek bramki: | 22,2 nC |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 stopni Celsjusza |
| Maksymalna temperatura pracy: | + 150 stopni Celsjusza |
| Pd - Rozpraszanie mocy: | 6 W |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Przetnij taśmę |
| Opakowanie: | Kołowrotek z myszką |
| Marka: | onsemi |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Szereg: | NTMFS4C028N |
| Ilość w opakowaniu fabrycznym: | 1500 |
| Podkategoria: | MOSFET-y |
| Waga jednostkowa: | 0,026455 uncji |
• Niski RDS(on) w celu zminimalizowania strat przewodzenia
• Niska pojemność minimalizująca straty sterownika
• Zoptymalizowany ładunek bramki w celu zminimalizowania strat przełączania
• Urządzenia te nie zawierają ołowiu, halogenu ani BFR i są zgodne z dyrektywą RoHS
• Dostarczanie mocy procesora
• Przetwornice DC-DC
