NTMFS4C028NT1G MOSFET RÓWEK 6 30V NCH
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | onsemi |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Detale |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | SO-8FL-4 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał N |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 30 V |
| Id — ciągły prąd drenu: | 52 A |
| Rds On – rezystancja drenu-źródła: | 4,73 miliomów |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 2,2 V |
| Qg — Ładunek bramki: | 22,2 nC |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 150 C |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 6 W |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | onsemi |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Seria: | NTMFS4C028N |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 1500 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Masa jednostkowa: | 0,026455 uncji |
• Niski RDS(on) w celu zminimalizowania strat przewodzenia
• Niska pojemność minimalizująca straty sterownika
• Zoptymalizowane ładowanie bramki w celu zminimalizowania strat przełączania
• Urządzenia te nie zawierają Pb, halogenów/BFR i są zgodne z dyrektywą RoHS
• Dostarczanie mocy procesora
• Przetwornice DC-DC
