M25P10-AVMN6TP NOR Flash 1 MB 3 V Szeregowa wbudowana pamięć Flash
♠ Opis produktu
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | Pamięć Sojuszu |
| Kategoria produktu: | ANI Błysk |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Rozmiar pamięci: | 1 Mbit |
| Napięcie zasilania — min.: | 2,7 V |
| Napięcie zasilania — maks.: | 3,6 V |
| Typ interfejsu: | SPI |
| Maksymalna częstotliwość zegara: | 50MHz |
| Organizacja: | 128 kx 8 |
| Szerokość magistrali danych: | 8 bitowy |
| Minimalna temperatura pracy: | - 40 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 85 C |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Marka: | Pamięć Sojuszu |
| Wrażliwy na wilgoć: | Tak |
| Rodzaj produktu: | ANI Błysk |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 2500 |
| Podkategoria: | Pamięć i przechowywanie danych |
• Interfejs szeregowy zgodny z magistralą SPI
• 1 MB pamięci Flash
• Częstotliwość zegara 50 MHz (maksymalna)
• Pojedyncze napięcie zasilania od 2,3 V do 3,6 V
• Program strony (do 256 bajtów) w 1,4 ms (TYP)
• Możliwość wymazywania
– Kasowanie sektora: 256Kb w 0,65 s (TYP)
– Masowe kasowanie: 1 MB w 1,7 s (TYP)
• Głębokie wyłączanie: 1µA (TYP)
• Podpis elektroniczny
– Standardowy 2-bajtowy podpis JEDEC (2011h)
– Komenda RES, podpis 1-bajtowy (10h) dla kompatybilności wstecznej
• Ponad 20 lat przechowywania danych
• Dostępne części z certyfikatem motoryzacyjnym
• Pakiety (zgodne z RoHS)
– SO8N (MN) 150 milicali
– VFQFPN8 (MP) MLP8 6mm x 5mm
– UFDFN8 (MB) 2mm x 3mm
