FDC6303N MOSFET SSOT-6 N-CH 25V

Producenci: ON Semiconductor

Kategoria produktu: Tranzystory — FET, MOSFET — macierze

Arkusz danych:FDC6303N

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6

Status RoHS: Zgodny z RoHS

Szczegóły produktu

Atrybut produktu	Wartość atrybutu
Producent:	onsemi
Kategoria produktu:	MOSFET
RoHS:	Detale
Technologia:	Si
Styl montażu:	SMD/SMT
Opakowanie / etui:	SSOT-6
Polaryzacja tranzystora:	Kanał N
Liczba kanałów:	2 kanały
Vds — napięcie przebicia dren-źródło:	25 V
Id — ciągły prąd drenu:	680 mA
Rds On – rezystancja drenu-źródła:	450 miliomów
Vgs - napięcie bramka-źródło:	- 8 V, + 8 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło:	650 mV
Qg — Ładunek bramki:	2,3 nC
Minimalna temperatura pracy:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 150 C
Pd — rozpraszanie mocy:	900 mW
Tryb kanału:	Wzmocnienie
Opakowanie:	Rolka
Opakowanie:	Wytnij taśmę
Opakowanie:	MyszReel
Marka:	onsemi / Fairchild
Konfiguracja:	Podwójny
Czas upadku:	8,5 ns
Transkonduktancja do przodu - min.:	0,145 S
Wysokość:	1,1 mm
Długość:	2,9 mm
Produkt:	Mały sygnał MOSFET
Rodzaj produktu:	MOSFET
Czas narastania:	8,5 ns
Seria:	FDC6303N
Fabryczna ilość w opakowaniu:	3000
Podkategoria:	MOSFETy
Typ tranzystora:	2 kanał N
Typ:	FET
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	17 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	3 ns
Szerokość:	1,6 mm
Część # Aliasy:	FDC6303N_NL
Masa jednostkowa:	0,001270 uncji