Szczegóły produktu
Tagi produktów
| Atrybut produktu | Wartość atrybutu |
| Producent: | Infineon |
| Kategoria produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Detale |
| Technologia: | Si |
| Styl montażu: | SMD/SMT |
| Opakowanie / etui: | TO-263-7 |
| Polaryzacja tranzystora: | Kanał N |
| Liczba kanałów: | 1 kanał |
| Vds — napięcie przebicia dren-źródło: | 40 V |
| Id — ciągły prąd drenu: | 522 A |
| Rds On – rezystancja drenu-źródła: | 550 omów |
| Vgs - napięcie bramka-źródło: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: | 3 V |
| Qg — Ładunek bramki: | 460 nC |
| Minimalna temperatura pracy: | - 55 C |
| Maksymalna temperatura robocza: | + 175 C |
| Pd — rozpraszanie mocy: | 375 W |
| Tryb kanału: | Wzmocnienie |
| Kwalifikacja: | AEC-Q101 |
| Nazwa handlowa: | CoolIRFet |
| Opakowanie: | Rolka |
| Opakowanie: | Wytnij taśmę |
| Opakowanie: | MyszReel |
| Marka: | Technologie firmy Infineon |
| Konfiguracja: | Pojedynczy |
| Czas upadku: | 107 ns |
| Transkonduktancja do przodu - min.: | 176 s |
| Wysokość: | 4,4 mm |
| Długość: | 10 mm |
| Rodzaj produktu: | MOSFET |
| Czas narastania: | 148 ns |
| Fabryczna ilość w opakowaniu: | 800 |
| Podkategoria: | MOSFETy |
| Typ tranzystora: | 1 kanał N |
| Typowy czas opóźnienia wyłączenia: | 149 ns |
| Typowy czas opóźnienia włączenia: | 32 ns |
| Szerokość: | 9,25 mm |
| Część # Aliasy: | AUIRFS8409-7TRL SP001518044 |
| Masa jednostkowa: | 0,056438 uncji |
Poprzedni: LCMXO2-2000HC-4BG256C FPGA — programowalna przez użytkownika macierz bramek 2112 tablic LUT 207 we/wy 3,3 V 4 szybkości Następny: S912ZVMC64F1MKH 16-bitowe mikrokontrolery MCU S12Z rdzeń, 64 K Flash, CAN, 64LQFP
